IPI086N10N3 G

Infineon Technologies
726-IPI086N10N3G
IPI086N10N3 G

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

数据表:
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库存量: 1,182

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥18.193 ¥18.19
¥8.8479 ¥88.48
¥7.9213 ¥792.13
¥6.328 ¥3,164.00
¥5.8986 ¥5,898.60

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
100 V
80 A
8.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.7 V
55 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: CN
扩散国家: MY
原产国: MY
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 42 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 31 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
零件号别名: SP000683070 IPI86N1N3GXK IPI086N10N3GXKSA1
单位重量: 2.387 g
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已选择的属性: 0

数据表

Product Catalogs

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

IRF540N/Z 高级 HEXFET® 功率 MOSFET

International Rectifier IRF540N/Z 高级 HEXFET® 功率 MOSFET 采用先进工艺，实现极低的单位硅面积导通电阻。这一优点再加上快速的开关速度、坚固的器件设计及 HEXFET 功率 MOSFET 著名的 175°C 工作结温，为设计人员提供了极为高效和可靠的器件，适用于广泛的应用。
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