IPP130N20NM6AKSA1

Infineon Technologies
726-IPP130N20NM6AKSA
IPP130N20NM6AKSA1

制造商：

说明：
MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Infineon Technologies IPP130N20NM6AKSA1详情

库存量: 550

库存：
550 可立即发货
生产周期：
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥37.7194 ¥37.72
¥19.5264 ¥195.26
¥17.7862 ¥1,778.62
¥17.289 ¥8,644.50
¥15.9669 ¥15,966.90

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
200 V
87 A
12 mOhms
20 V
4.5 V
37 nC
- 55 C
+ 175 C
234 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: AT
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 最小值: 18 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 13 ns
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: IPP130N20NM6 SP006063001
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 6功率MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6功率MOSFET是先进的下一代创新性器件，性能极为出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圆技术，显著提升了性能。与同类产品相比，OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30％，并针对同步整流进行了优化。

OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET是一款N沟道正常电平MOSFET，提供PG-TO263-3、PG-TO220-3和PG-HDSOP-16封装选项。此系列MOSFET具有优良栅极电荷 x RDS(on) 积 (FOM)、极低反向恢复电荷 (Qrr) 和低导通电阻RDS(on) 。OptiMOS™ 6 200V MOSFET可在175°C温度下工作。这些MOSFET符合IEC61249‑2‑21规定的无卤素要求，根据J‑STD-020标准分类潮湿敏感度等级为 (MSL 1) 。OptiMOS™ 6 200V MOSFET非常适合可再生能源、电机控制、音频放大器和工业应用。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。