IPP175N20NM6AKSA1

Infineon Technologies
726-IPP175N20NM6AKSA
IPP175N20NM6AKSA1

制造商：

说明：
MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

寿命周期:
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥26.3855 ¥26.39
¥13.2323 ¥132.32
¥11.9893 ¥1,198.93
¥9.8423 ¥4,921.15

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
61 A
15.5 mOhms
20 V
4.5 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
203 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: AT
下降时间: 9.8 ns
正向跨导 - 最小值: 13 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 23 ns
系列: OptiMOS 6
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: IPP175N20NM6 SP006070086
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET是一款N沟道正常电平MOSFET，提供PG-TO263-3、PG-TO220-3和PG-HDSOP-16封装选项。此系列MOSFET具有优良栅极电荷 x RDS(on) 积 (FOM)、极低反向恢复电荷 (Qrr) 和低导通电阻RDS(on) 。OptiMOS™ 6 200V MOSFET可在175°C温度下工作。这些MOSFET符合IEC61249‑2‑21规定的无卤素要求，根据J‑STD-020标准分类潮湿敏感度等级为 (MSL 1) 。OptiMOS™ 6 200V MOSFET非常适合可再生能源、电机控制、音频放大器和工业应用。

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