IPW95R130PFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW95R130PFD7XKS
IPW95R130PFD7XKSA1

制造商：

说明：
MOSFET HIGH POWER_NEW

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¥-.--
总价:
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数量 单价
总价
¥43.844 ¥43.84
¥27.9562 ¥279.56
¥24.2385 ¥2,423.85

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
950 V
36.5 A
130 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
141 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: AT
下降时间: 3.6 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 14 ns
系列: IPW95R130PFD7
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 118 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
零件号别名: IPW95R130PFD7 SP005547004
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

英飞凌科技950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET采用超级结 (SJ) 技术。SJ技术先进、易用，具有同类最佳的性能，非常适合用于照明和工业SMPS应用。PFDJ集成了超快体二极管，可用于具有最低反向恢复电荷 (Qrr) 的谐振拓扑。

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