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IQEH68NE2LM7UCGATMA1

Name: Infineon IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH68NE2LM7UCGA
Price: 20.72 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IQEH68NE2LM7UCGA

制造商编号：

IQEH68NE2LM7UCGATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥23.4136	¥23.41
	¥15.2211	¥152.21
	¥10.4186	¥1,041.86
	¥8.5202	¥4,260.10
	¥8.1021	¥8,102.10
	¥8.0456	¥20,114.00
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥7.6614	¥38,307.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V
Id-连续漏极电流:	338 A
Rds On-漏源导通电阻:	680 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	22 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	130 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	AT
下降时间:	5.1 ns
正向跨导 - 最小值:	50 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	17 ns
系列:	OptiMOS 7
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	24 ns
典型接通延迟时间:	7.7 ns
零件号别名:	IQEH68NE2LM7UCG SP005960141

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已选择的属性: 0

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数据表

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 数据表 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET

英飞凌N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET是高性能N沟道晶体管，专为要求苛刻的电源转换应用而设计。这些MOSFET具有极低的导通电阻、出色的热阻，以及优异的米勒比率，耐dv/dt。OptiMOS™ 7功率MOSFET针对硬开关拓扑结构、软开关拓扑结构以及FOM_oss进行了优化设计。这些功率MOSFET都100%通过了雪崩测试，并且符合RoHS标准。OptiMOS™ 7 功率MOSFET符合IEC61249‑2‑21国际标准，不含卤素。