IS42S32200N-6TL

ISSI
870-IS42S32200N-6TL
IS42S32200N-6TL

制造商:

说明:
动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 209

库存:
209 可立即发货
生产周期:
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1   最多: 58
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥39.6178 ¥39.62
¥36.8945 ¥368.95
¥35.821 ¥895.53
¥34.9848 ¥1,749.24

产品属性 属性值 选择属性
ISSI
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
SDRAM
64 Mbit
32 bit
166 MHz
TSOP-II-86
2 M x 32
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
商标: ISSI
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 108
子类别: Memory & Data Storage
电源电流—最大值: 70 mA
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.