IS42S32800J-6TLI

ISSI
870-42S32800J6TLI
IS42S32800J-6TLI

制造商:

说明:
动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT

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产品属性 属性值 选择属性
ISSI
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
32 bit
166 MHz
TSOP-II-86
8 M x 32
6.5 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IS42S32800J
商标: ISSI
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 108
子类别: Memory & Data Storage
电源电流—最大值: 190 mA
单位重量: 560 mg
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
JPHTS:
854232021
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.