IS66WV51216EBLL-70TLI-TR

ISSI
870-651216EBLL70TLIT
IS66WV51216EBLL-70TLI-TR

制造商:

说明:
静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS

ECAD模型:
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库存量: 1,611

库存:
1,611 可立即发货
生产周期:
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1   最多: 2
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按1000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥29.4478 ¥29.45
整卷卷轴(请按1000的倍数订购)
¥29.4478 ¥29,447.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

备用包装

制造商零件编号:
包装:
供货情况:
库存量
单价:
¥32.092
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
ISSI
产品种类: 静态随机存取存储器
RoHS:  
8 Mbit
512 k x 16
70 ns
Parallel
3.6 V
2.5 V
28 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TSOP-44
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: ISSI
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW
存储类型: SDR
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
系列: IS66WV51216EBLL
工厂包装数量: 1000
子类别: Memory & Data Storage
类型: Asynchronous
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.