IS66WVE2M16EALL-70BLI

ISSI
870-E2M16EALL70BLI
IS66WVE2M16EALL-70BLI

制造商：

说明：
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解ISSI IS66WVE2M16EALL-70BLI详情
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

供货情况

库存：

产品属性 属性值 选择属性
ISSI
产品种类: 静态随机存取存储器
交货限制:
 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:  
32 Mbit
2 M x 16
70 ns
Parallel
1.95 V
1.7 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
商标: ISSI
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
系列: IS66WVE2M16EALL
工厂包装数量: 480
子类别: Memory & Data Storage
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。