IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

ISSI
870-VQ16M4DBLL200BLI
IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

制造商：

说明：
动态随机存取存储器 64Mb, QUA动态随机存取存储器, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

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产品属性 属性值 选择属性
ISSI
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
SDRAM
64 Mbit
200 MHz
TFBGA-24
2.7 V
3.6 V
商标: ISSI
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 480
子类别: Memory & Data Storage
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已选择的属性: 0

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CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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