IS66WVR8M8FBLL-104NLI

Name: ISSI IS66WVR8M8FBLL-104NLI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVR8M8FBLL104NLI
Price: 38.5 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

870-WVR8M8FBLL104NLI

制造商编号：

IS66WVR8M8FBLL-104NLI

制造商：

ISSI

说明：

动态随机存取存储器 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

寿命周期:

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数据表:

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库存量: 779

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

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数量	单价	总价
	¥43.505	¥43.51
	¥40.5331	¥405.33
	¥39.2901	¥785.80
	¥38.3748	¥1,918.74
	¥37.4708	¥3,747.08

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	PSRAM (Pseudo SRAM)
存储容量:	64 Mbit
数据总线宽度:	8 bit
最大时钟频率:	104 MHz
封装 / 箱体:	SOIC-8
组织:	8 M x 8
访问时间:	7 ns
电源电压-最小:	2.7 V
电源电压-最大:	3.6 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
商标:	ISSI
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	TW
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	100
子类别:	Memory & Data Storage
电源电流—最大值:	15 mA

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Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.