IS66WVS8M8FALL-104NLI

ISSI
870-WVS8M8FALL104NLI
IS66WVS8M8FALL-104NLI

制造商：

说明：
DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解ISSI IS66WVS8M8FALL-104NLI详情
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

供货情况

库存：

产品属性 属性值 选择属性
ISSI
产品种类: 动态随机存取存储器
交货限制:
 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:  
PSRAM (Pseudo SRAM)
64 Mbit
8 bit
104 MHz
SOIC-8
8 M x 8
7 ns
1.65 V
1.95 V
- 40 C
+ 85 C
商标: ISSI
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 100
子类别: Memory & Data Storage
电源电流—最大值: 15 mA
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。