ISC024N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC024N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC024N08NM7ATMA
Price: 23.72 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-ISC024N08NM7ATMA

制造商编号：

ISC024N08NM7ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

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¥-.--

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥26.8036	¥26.80
	¥17.4585	¥174.59
	¥13.4018	¥1,340.18
	¥11.2548	¥5,627.40
	¥10.2604	¥10,260.40
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥9.7632	¥48,816.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-TDSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	167 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.2 V
Qg-栅极电荷:	49 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	150 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	5 ns
正向跨导 - 最小值:	130 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3.8 ns
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	20.4 ns
典型接通延迟时间:	10.3 ns
零件号别名:	ISC024N08NM7 SP006183896

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已选择的属性: 0

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数据表

ISC024N08NM7ATMA1 数据表 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET

英飞凌N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET是高性能N沟道晶体管，专为要求苛刻的电源转换应用而设计。这些MOSFET具有极低的导通电阻、出色的热阻，以及优异的米勒比率，耐dv/dt。OptiMOS™ 7功率MOSFET针对硬开关拓扑结构、软开关拓扑结构以及FOM_oss进行了优化设计。这些功率MOSFET都100%通过了雪崩测试，并且符合RoHS标准。OptiMOS™ 7 功率MOSFET符合IEC61249‑2‑21国际标准，不含卤素。