ISC034N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC034N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC034N08NM7ATMA
Price: 18.67 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-ISC034N08NM7ATMA

制造商编号：

ISC034N08NM7ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

ISC034N08NM7ATMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies ISC034N08NM7ATMA1详情

库存量: 153

库存：: 153 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 4 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥21.0971	¥21.10
	¥13.4809	¥134.81
	¥9.1869	¥918.69
	¥7.6501	¥3,825.05
	¥7.0851	¥7,085.10
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥6.6218	¥33,109.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-TDSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	122 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.2 V
Qg-栅极电荷:	34 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	115 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	AT
下降时间:	3.4 ns
正向跨导 - 最小值:	50 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.5 ns
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	13.8 ns
典型接通延迟时间:	8.6 ns
零件号别名:	ISC034N08NM7 SP006167256

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

ISC034N08NM7ATMA1 数据表 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET

英飞凌N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET是高性能N沟道晶体管，专为要求苛刻的电源转换应用而设计。这些MOSFET具有极低的导通电阻、出色的热阻，以及优异的米勒比率，耐dv/dt。OptiMOS™ 7功率MOSFET针对硬开关拓扑结构、软开关拓扑结构以及FOM_oss进行了优化设计。这些功率MOSFET都100%通过了雪崩测试，并且符合RoHS标准。OptiMOS™ 7 功率MOSFET符合IEC61249‑2‑21国际标准，不含卤素。