IXTF02N450

Name: IXYS IXTF02N450
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTF02N450
Price: 330.72 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

747-IXTF02N450

制造商编号：

IXTF02N450

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET

数据表:

IXTF02N450 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	ISOPLUS-i4-PAK-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	4.5 kV
Id-连续漏极电流:	200 mA
Rds On-漏源导通电阻:	625 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	10.6 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	78 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
下降时间:	143 ns
正向跨导 - 最小值:	90 mS
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	48 ns
系列:	IXTF02N450
工厂包装数量:	25
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	28 ns
典型接通延迟时间:	17 ns
单位重量:	6.500 g

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CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.