IXYK140N120A4

Name: IXYS IXYK140N120A4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYK140N120A4
Price: 321.93 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXYK140N120A4

制造商编号：

IXYK140N120A4

制造商：

IXYS

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264

数据表:

IXYK140N120A4 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解IXYS IXYK140N120A4详情

库存量: 2,915

库存：: 2,915 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 32 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥363.7809	¥363.78
	¥287.7658	¥2,877.66

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-264-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.7 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	480 A
Pd-功率耗散:	1.5 kW
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	Trench
封装:	Tube
商标:	IXYS
集电极最大连续电流 Ic:	480 A
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
栅极—射极漏泄电流:	200 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	25
子类别:	IGBTs

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXYK140N120A4 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).

沟槽型650V至1200V XPT™ GenX4™ IGBT

IXYS沟槽式650V至1200V XPT™ GenX4™ IGBT采用专有的XPT薄晶圆技术和最先进的第四代 (GenX4™) 沟槽式IGBT工艺进行开发。这些绝缘栅极双极晶体管具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性。该器件在开关和短路条件下具有出色的耐用性。

IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBT

IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBT是采用XPT薄晶圆技术的第四代沟槽IGBT。这些超低V_SAT IGBT晶体管支持高达5kHz开关频率，并优化实现了低导通损耗。IXYxN120A IGBT具有高功率密度、低栅极驱动要求和-55°C至+175°C工作温度等优势。这些晶体管采用TO-247和TO-269HV封装，每种封装具有1200V的电压和55A或85A的电流。IXYxN120A IGBT用在电源逆变器、电机驱动器、PFC电路、电池充电器、焊接机、灯具镇流器和浪涌电流保护器电路等应用中。