KTDM4G3C818BGCEAT

Name: SMART KTDM4G3C818BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C818BGCEAT
Price: 85.57 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

473-M4G3C818BGCEAT

制造商编号：

KTDM4G3C818BGCEAT

制造商：

SMARTsemi

说明：

动态随机存取存储器动态随机存取存储器 DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Commercial

数据表:

KTDM4G3C818BGCEAT 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解SMARTsemi KTDM4G3C818BGCEAT详情

库存量: 210

库存：: 210 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。

数量大于210的订购须受最低订购要求的限制。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥96.6941	¥96.69
	¥89.835	¥898.35
	¥87.1004	¥2,177.51
	¥85.0325	¥4,251.63
	¥82.8855	¥8,288.55
	¥80.23	¥16,848.30
	¥78.1621	¥32,828.08
	¥76.1846	¥79,993.83
2,520	报价

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	SMART
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	SDRAM - DDR3L
存储容量:	4 Gbit
数据总线宽度:	8 bit
最大时钟频率:	933 MHz
封装 / 箱体:	FBGA-78
组织:	512 M x 8
电源电压-最小:	1.283 V
电源电压-最大:	1.575 V
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 85 C
系列:	KTDM
封装:	Tray
商标:	SMARTsemi
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	TW, CN
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	210
子类别:	Memory & Data Storage

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

KTDM4G3C818BGCEAT 数据表 (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.