KTDM8G4B832BGCBCT

SMARTsemi
473-KTDM8G4B83BGCBCT
KTDM8G4B832BGCBCT

制造商:

说明:
动态随机存取存储器 DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Commercial temp

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

供货情况

库存:
无库存
生产周期:
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥113.3164 ¥113.32
¥105.2143 ¥1,052.14
¥101.9938 ¥2,549.85
¥99.5869 ¥4,979.35
¥97.1122 ¥9,711.22
¥93.9708 ¥23,492.70
¥91.5639 ¥45,781.95
¥89.2474 ¥89,247.40
2,500 报价

产品属性 属性值 选择属性
SMART
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
SDRAM - DDR4
8 Gbit
8 bit
1.6 GHz
FBGA-78
1 G x 8
1.14 V
1.26 V
0 C
+ 85 C
商标: SMARTsemi
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: BR
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
子类别: Memory & Data Storage
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).