KTDM8G4B832BGIBCT

SMARTsemi
473-KTDM8G4B83BGIBCT
KTDM8G4B832BGIBCT

制造商:

说明:
动态随机存取存储器 DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

供货情况

库存:
0

您可以延期订购此产品。

最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥434.0895 ¥434.09
¥401.2517 ¥4,012.52
¥388.268 ¥9,706.70
¥378.5952 ¥18,929.76
¥369.0806 ¥36,908.06
¥356.7523 ¥89,188.08

产品属性 属性值 选择属性
SMART
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
SDRAM - DDR4
8 Gbit
8 bit
1.6 GHz
FBGA-78
1 G x 8
1.14 V
1.26 V
- 40 C
+ 85 C
商标: SMARTsemi
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: BR
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
子类别: Memory & Data Storage
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).