LF2181NTR

IXYS Integrated Circuits
747-LF2181NTR
LF2181NTR

制造商：

说明：
栅极驱动器 HI LO Side DRVR 1.4A SOIC(N)-8

数据表:
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库存量: 12,546

库存：
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生产周期：
24 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥16.2155 ¥16.22
¥11.9893 ¥119.89
¥10.9158 ¥272.90
¥9.7632 ¥976.32
¥9.1869 ¥2,296.73
¥8.8479 ¥4,423.95
¥8.5993 ¥8,599.30
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥7.9665 ¥19,916.25
¥7.9439 ¥39,719.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Driver ICs - Various
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
1 Driver
2 Output
10 V
20 V
40 ns
20 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: IXYS Integrated Circuits
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
逻辑类型: CMOS, TTL
最大关闭延迟时间: 330 ns
最大开启延迟时间: 270 ns
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 120 uA
Pd-功率耗散: 625 mW
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 35 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
ECCN:
EAR99

N通道MOSFET和IGBT栅极驱动器

IXYS N通道MOSFET和IGBT栅极驱动器包括高压高速栅极驱动器和三相栅极驱动器IC。这些设备设计用于驱动半桥配置或高压侧/低压侧配置的两个N通道MOSFET或IGBT。高压技术能够实现高压侧在全推力运转期间切换到600V。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，用于最大限度地减少驱动器交叉传导。其他功能包括3.3V逻辑输入能力，施密特触发逻辑输入和欠压锁定(UVLO)保护。IXYS N通道MOSFET和IGBT栅极驱动器具有-40°C至+125°C扩展工作温度范围。

高侧与低侧栅极驱动器IC

IXYS高侧与低侧栅极驱动器IC具有600mA/290mA至4.5A/4.5A灌/拉输出电流能力。该器件具有10V至20V宽工作电压范围。保护特性包括欠压闭锁 (UVLO) 和击穿保护。IXYS高侧和低侧栅极驱动器IC的工作温度范围为-40°C至+125°C，采用SOIC-8、-14、-16行业标准封装和引脚分配。

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