MASTERGAN3

STMicroelectronics
511-MASTERGAN3
MASTERGAN3

制造商：

说明：
栅极驱动器 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
完成您的设计

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics MASTERGAN3详情

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
26 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1560   倍数： 1560
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥27.7076 ¥43,223.86

备用包装

制造商零件编号:
MASTERGAN3TR
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥53.1891
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
4 Output
4 A, 6.5 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TH
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 1560
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

PCN

此功能要求启用JavaScript。

USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式电源氮化镓具有150mΩ RDS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。