MRFE6VP5600HR5

NXP Semiconductors
841-MRFE6VP5600HR5
MRFE6VP5600HR5

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解NXP Semiconductors MRFE6VP5600HR5详情

库存量: 50

库存：
50 可立即发货
生产周期：
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于50的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按50的倍数订购）
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥4,797.6071 ¥4,797.61
¥3,946.0504 ¥39,460.50
整卷卷轴（请按50的倍数订购）
¥3,946.0504 ¥197,302.52
100 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
N-Channel
Si
2 A
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
25 dB
600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: NXP Semiconductors
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
Pd-功率耗散: 1.667 kW
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: MRFE6VP5600H
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V
零件号别名: 935310538178
单位重量: 13.155 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8504409190
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MRFE6VP6 50V RF LDMOS功率晶体管

Freescale Semiconductor MRFE6VP61K25H和MRFE6VP6300H 50V RF LDMOS功率晶体管设计用于高VSWR应用。MRFE6VP61K25H的输出功率电平为1250W，使其适用于坚固的应用。Freescale Semiconductor MRFE6VP61K25H RF LDMOS功率晶体管增强的牢固性使设计人员能够移去之前需要的外部电路，降低总体系统成本的同时又提高了性能。MRFE6VP61K25H设计用于支持高度失配应用中的严苛环境，比如等离子发生器、CO2 激光器和MRI功率放大器。Freescale MRFE6VP6300H 50V RF LDMOS功率晶体管专为运行频率为1.8-600MHz的应用而设计，针对在CO2激光器、等离子发生器和MRI 功率放大器阻抗失配时的使用进行了优化。MRFE6VP6300H是第一款以65:1 VSWR输出300 W连续波(CW)额定输出全功率的50V LDMOS晶体管。
了解更多

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。