MSCSM120DUM31CTBL1NG

Name: Microchip MSCSM120DUM31CTBL1NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M120DUM31CTBL1NG
Price: 936 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

579-M120DUM31CTBL1NG

制造商编号：

MSCSM120DUM31CTBL1NG

制造商：

Microchip Technology

说明：

分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	分立半导体模块
RoHS:
产品:	MOSFET-SiC SBD Modules
类型:	MOSFET / SiC SBD
技术:	SiC
Vf - 正向电压:	1.5 V
Vr - 反向电压 :	1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 25 V
安装风格:	Screw Mount
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
商标:	Microchip Technology
配置:	Dual Common Source
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	US
下降时间:	25 ns
Id-连续漏极电流:	79 A
Pd-功率耗散:	310 W
产品类型:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻:	31 mOhms
上升时间:	30 ns
工厂包装数量:	1
子类别:	Discrete Semiconductor Modules
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	30 ns
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.8 V

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ECCN:: EAR99

MSCSM120x MOSFET电源模块

Microchip Technology MSCSM 120 x MOSFET电源模块是高效转换器，采用厚铜Si₃N₄ 基板，可提高散热性能。这些模块采用薄型设计，可直接安装到散热片（隔离式封装）、内部热敏电阻（用于温度监控）以及扩展温度范围。MSCSM120x模块的反向工作电压 (V_R) 为1.2kV，栅极-源极电压范围 (V_GS) 为-10V至25V，功率耗散 (P_d) 为310W/560W，连续漏极电流 (I_d) 为 79A/150A。该系列模块适用于高可靠性电源系统、高效交流/直流和直流/交流转换器、电机控制以及交流开关等应用。