MWT-LN300

CML Micro
938-MWT-LN300
MWT-LN300

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices

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¥261.0752 ¥7,832.26
¥256.1258 ¥12,806.29
¥253.2556 ¥25,325.56

产品属性 属性值 选择属性
CML Micro
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
GaAs
120 mA
4 V
26 GHz
10 dB, 13 dB
16 dBm
+ 150 C
Die
Reel
商标: CML Micro
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
正向跨导 - 最小值: 160 mS
Pd-功率耗散: 300 mW
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: MWT
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
商标名: MWT-LN300
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已选择的属性: 0

数据表

Other

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

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