NSS20200DMTTBG

onsemi
863-NSS20200DMTTBG
NSS20200DMTTBG

制造商:

说明:
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR

ECAD模型:
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库存量: 2,980

库存:
2,980 可立即发货
生产周期:
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥8.4411 ¥8.44
¥5.2884 ¥52.88
¥3.4578 ¥345.78
¥2.6668 ¥1,333.40
¥2.4182 ¥2,418.20
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥2.0792 ¥6,237.60

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN6
Dual
20 V
20 V
250 mV
NSS20200DM
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
直流集电极/Base Gain hfe Min: 220
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

USHTS:
8541210095
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99

e2PowerEdge低VCE(sat)晶体管

安森美 (onsemi) e2PowerEdge低VCE(sat)晶体管是微型表面贴装器件,具有超低饱和电压(VCE(sat))和大电流增益能力。这些器件设计用于经济高效的能量控制至关重要的低电压、高速开关应用。典型应用包括便携式和电池供电产品中的直流-直流转换器和电源管理,如蜂窝和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器。其他应用包括大容量存储产品中的低压电机控制,如光盘和磁带驱动器。这些器件可用于汽车行业的安全气囊部署和仪表板。大电流增益使得安森美(onsemi)e2PowerEdge器件可直接由PMU的控制输出驱动,线性增益(Beta)使其成为模拟放大器的理想元件。