NSV20201DMTWTBG

onsemi
863-NSV20201DMTWTBG
NSV20201DMTWTBG

制造商：

说明：
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR

数据表:
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库存量: 2,960

库存：
2,960 可立即发货
生产周期：
24 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥9.0965 ¥9.10
¥5.7065 ¥57.07
¥3.7516 ¥375.16
¥2.9041 ¥1,452.05
¥2.6329 ¥2,632.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥2.2713 ¥6,813.90

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN-6
NPN
Dual
20 V
20 V
7 V
330 mV
2.27 W
180 MHz
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
NSS20201DM
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
集电极连续电流: 2 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TH
直流集电极/Base Gain hfe Min: 100
直流电流增益 hFE 最大值: 250
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

USHTS:
8541210075
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99

e2PowerEdge低VCE（sat）晶体管

安森美 (onsemi) e2PowerEdge低VCE(sat)晶体管是微型表面贴装器件，具有超低饱和电压（VCE(sat)）和大电流增益能力。这些器件设计用于经济高效的能量控制至关重要的低电压、高速开关应用。典型应用包括便携式和电池供电产品中的直流-直流转换器和电源管理，如蜂窝和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器。其他应用包括大容量存储产品中的低压电机控制，如光盘和磁带驱动器。这些器件可用于汽车行业的安全气囊部署和仪表板。大电流增益使得安森美（onsemi）e2PowerEdge器件可直接由PMU的控制输出驱动，线性增益（Beta）使其成为模拟放大器的理想元件。

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