NSVBC144EDXV6T1G

onsemi
863-NSVBC144EDXV6T1G
NSVBC144EDXV6T1G

制造商:

说明:
数字晶体管 SS SOT563 RSTR XSTR TR

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
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库存量: 4,000

库存:
4,000 可立即发货
生产周期:
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥3.0623 ¥3.06
¥1.8871 ¥18.87
¥1.1865 ¥118.65
¥0.88479 ¥442.40
¥0.77744 ¥777.44
¥0.68704 ¥1,374.08
整卷卷轴(请按4000的倍数订购)
¥0.5876 ¥2,350.40
¥0.49607 ¥3,968.56
¥0.48025 ¥11,526.00

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 数字晶体管
RoHS:  
Dual
NPN
4.7 kOhms
1.0
SMD/SMT
SOT-563
80
50 VDC
100 mA
357 mW
- 55 C
+ 150 C
NSBC144EDXV6
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
通道模式: Enhancement
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
最大直流电集电极电流: 100 mA
工作温度范围: - 55 C to + 150 C
输出电压: 4.9 V
产品类型: Digital Transistors
工厂包装数量: 4000
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

USHTS:
8541210095
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99

双NPN双极数字晶体管

安森美(onsemi)双通道NPN双极数字晶体管设计用于替代单个器件和额外的外部电阻器偏置网络。偏置电阻器晶体管(BRT)包含一个晶体管,其单片偏置网络由两个电阻器(一个串联基极电阻器和一个基极发射极电阻器)组成。通过将这些单独元件集成到单个器件中,这些安森美(onsemi)NPN双极数字晶体管上的BRT可简化电路设计并将其消除。BRT还降低了系统成本和电路板空间。