NSVMUN5213DW1T3G

Name: onsemi NSVMUN5213DW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVMUN5213DW1T3G
Price: 1.98 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NSVMUN5213DW1T3G

制造商编号：

NSVMUN5213DW1T3G

制造商：

onsemi

说明：

数字晶体管 SS SC88 BR XSTR NPN 50V

数据表:

NSVMUN5213DW1T3G 数据表

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按10000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥2.2374	¥2.24
	¥1.3673	¥13.67
	¥0.85202	¥85.20
	¥0.62828	¥314.14
	¥0.49607	¥496.07
	¥0.44635	¥2,231.75
整卷卷轴（请按10000的倍数订购）
	¥0.38872	¥3,887.20

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	数字晶体管
RoHS:
配置:	Dual
晶体管极性:	NPN
典型输入电阻器:	47 kOhms
典型电阻器比率:	1
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min:	80
集电极—发射极最大电压 VCEO:	50 V
集电极连续电流:	100 mA
Pd-功率耗散:	250 mW
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	MUN5213DW1
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
组装国:	CN
扩散国家:	MY
原产国:	CN
工作温度范围:	- 55 C to + 150 C
产品类型:	Digital Transistors
资格:	AEC-Q101
工厂包装数量:	10000
子类别:	Transistors
单位重量:	6.200 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

NSVMUN5213DW1T3G 数据表

PCN

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

双NPN双极数字晶体管

安森美（onsemi）双通道NPN双极数字晶体管设计用于替代单个器件和额外的外部电阻器偏置网络。偏置电阻器晶体管（BRT）包含一个晶体管，其单片偏置网络由两个电阻器（一个串联基极电阻器和一个基极发射极电阻器）组成。通过将这些单独元件集成到单个器件中，这些安森美（onsemi）NPN双极数字晶体管上的BRT可简化电路设计并将其消除。BRT还降低了系统成本和电路板空间。