NTB5D0N15MC

onsemi
863-NTB5D0N15MC
NTB5D0N15MC

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 150V N-FET D2PAK

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 874

库存：
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生产周期：
22 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按800的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥50.7822 ¥50.78
¥35.3238 ¥353.24
¥25.5606 ¥2,556.06
¥24.6453 ¥12,322.65
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
¥23.8995 ¥19,119.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1 Channel
150 V
139 A
5 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 最小值: 146 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 14 ns
系列: NTB5D0N15MC
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是N沟道MOSFET，可最大限度地降低导通电阻，并通过同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。与其他MOSFET相比，这些MOSFET的Qrr 更低。安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench MOSFET可降低开关噪声/电磁干扰 (EMI)。这些MOSFET具有低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗，还具有低QG 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗。屏蔽栅极PowerTrench MOSFET采用小型PQFN8封装，尺寸为5mm x 6mm，设计紧凑。典型应用包括同步整流 (SR)、交流－直流和直流－直流电源、交流－直流适配器（USB供电）同步整流器和负载开关。

工业电机驱动器

安森美电机驱动器设计用于实现全球可持续性，提供高效、可再生能源技术和智能电源。根据美国能源部 (DOE) 发布的《2020年电机系统市场分析报告》(MSMA)，工业泵和驱动器每年消耗全美电网近15%的电量。该报告还预测，使用VFD每年可以减少32.3万吨二氧化碳的排放安森美生产多种VFD半导体组件，包括栅极驱动器、MOSFET、IGBT和EliteSiC。

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