NTBL060N065SC1

onsemi
863-NTBL060N065SC1
NTBL060N065SC1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET M2 650V SIC MOSFET 60MOHM

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
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库存量: 1,983

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥71.3821 ¥71.38
¥52.0252 ¥520.25
¥43.0982 ¥4,309.82
¥42.601 ¥21,300.50
¥41.6857 ¥41,685.70
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥40.8608 ¥81,721.60

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
SO-8
N-Channel
1 Channel
650 V
46 A
70 mOhms
- 8 V, + 22.6 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 170 C
170 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 11 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 14 ns
系列: NTBL060N065SC1
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V EliteSiC (碳化硅) MOSFET

安森美（onsemi）650V EliteSiC（碳化硅）MOSFET采用的技术与硅器件相比，可提供出色的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。安森美（onsemi）TOLL封装具有开尔文源极配置和较低的寄生源极电感，可提高散热性能并具有出色的开关性能。TOLL提供1级潮湿敏感度 (MSL 1)。

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