NTH4L016N065M3S

onsemi
863-NTH4L016N065M3S
NTH4L016N065M3S

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
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库存量: 427

库存：
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生产周期：
23 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥133.1705 ¥133.17
¥103.0673 ¥1,030.67

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
71 A
23.5 mOhms
- 10 V, 22.6 V
4 V
100 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 45 ns
封装: Tube
产品: SiC MOSFET
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 20 ns
系列: NTH4L016N065M3S
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 6.5 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

650V EliteSiC (碳化硅) MOSFET

安森美（onsemi）650V EliteSiC（碳化硅）MOSFET采用的技术与硅器件相比，可提供出色的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。安森美（onsemi）TOLL封装具有开尔文源极配置和较低的寄生源极电感，可提高散热性能并具有出色的开关性能。TOLL提供1级潮湿敏感度 (MSL 1)。

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