NTMFS0D4N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D4N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D4N04XMT1G
Price: 27.38 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMFS0D4N04XMT1G

制造商编号：

NTMFS0D4N04XMT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

数据表:

NTMFS0D4N04XMT1G 数据表

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	¥30.9394	¥30.94
	¥20.2609	¥202.61
	¥14.4753	¥1,447.53
	¥12.8255	¥6,412.75
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥11.7407	¥17,611.05
9,000	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	509 A
Rds On-漏源导通电阻:	420 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	133 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	197 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MY
下降时间:	13 ns
正向跨导 - 最小值:	286 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	11.1 mm
系列:	NTMFS0D4N04XM
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	49.4 ns
典型接通延迟时间:	34.5 ns

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数据表

NTMFS0D4N04XMT1G 数据表

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

40V功率MOSFET

安森美（onsemi）40V功率MOSFET采用标准栅极电平技术，具有同类最佳的导通电阻。安森美（onsemi）MOSFET设计用于电机驱动器应用。该器件具有更低导通电阻和更低栅极电荷，可有效地最大限度地降低导通和驱动损耗。此外，这些MOSFET还为体二极管反向恢复提供出色的软控制，有效降低电压尖峰压力而无需在应用中使用额外的缓冲电路。

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