NTMFS2D1N08XT1G

onsemi
863-NTMFS2D1N08XT1G
NTMFS2D1N08XT1G

制造商：

说明：
MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

数据表:
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库存量: 2,784

库存：
2,784
可立即发货
在途量:
10,500
生产周期：
23
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥25.1425 ¥25.14
¥16.3737 ¥163.74
¥11.3339 ¥1,133.39
¥9.5146 ¥4,757.30
¥9.1869 ¥9,186.90
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥8.8479 ¥13,271.85

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
80 V
201 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
164 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 最小值: 158 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9 ns
系列: NTMFS2D1N08X
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 29 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PowerTrench技术

安森美 (onsemi) PowerTrench技术代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10的转变标志着电力电子产品领域的突破。  由安森美 (onsemi) 开发的PowerTrench MOSFET可为各种应用提供增强的效率和性能。从T6/T8到T10的转变显著提高了导通电阻和开关性能，这对于节能设计至关重要。

云电源管理解决方案

安森美 (onsemi) 云电源管理解决方案为基础设施提供必不可少的计算和连接功能，对于处理器、存储库和无线基站的供电至关重要。随着业务向云端转移，效率和可靠性的重要性日益凸显。AI服务器尤其需要可靠的电源来确保最佳性能和效率，因此对于AI驱动的业务来说，要维护其完整性和功能性，安森美解决方案不可或缺。安森美提供AC-DC转换、多相转换、负载点电源和热插拔保护等阵容丰富的解决方案，能满足云端基础设施的各类电源需求。凭借尖端的技术、可靠的性能和深厚的专业应用知识，无论是对于当前的基站、服务器还是数据中心，安森美都是理想的供电合作伙伴。

40V功率MOSFET

安森美（onsemi）40V功率MOSFET采用标准栅极电平技术，具有同类最佳的导通电阻。  安森美（onsemi）MOSFET设计用于电机驱动器应用。该器件具有更低导通电阻和更低栅极电荷，可有效地最大限度地降低导通和驱动损耗。此外，这些MOSFET还为体二极管反向恢复提供出色的软控制，有效降低电压尖峰压力而无需在应用中使用额外的缓冲电路。

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