NTMFS2D3N04XMT1G

onsemi
863-NTMFS2D3N04XMT1G
NTMFS2D3N04XMT1G

制造商：

说明：
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 5,923

库存：
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本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥13.0741 ¥13.07
¥8.3507 ¥83.51
¥5.5257 ¥552.57
¥4.3505 ¥2,175.25
¥4.0341 ¥4,034.10
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥3.8533 ¥5,779.95

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
111 A
2.35 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
22.1 nC
- 55 C
+ 175 C
53 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
组装国: MY
扩散国家: JP
原产国: MY
下降时间: 4.69 ns
正向跨导 - 最小值: 89.2 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5.19 ns
系列: NTMFS2D3N04XM
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 22.2 ns
典型接通延迟时间: 15.8 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PowerTrench技术

安森美 (onsemi) PowerTrench技术代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10的转变标志着电力电子产品领域的突破。  由安森美 (onsemi) 开发的PowerTrench MOSFET可为各种应用提供增强的效率和性能。从T6/T8到T10的转变显著提高了导通电阻和开关性能，这对于节能设计至关重要。

40V功率MOSFET

安森美（onsemi）40V功率MOSFET采用标准栅极电平技术，具有同类最佳的导通电阻。  安森美（onsemi）MOSFET设计用于电机驱动器应用。该器件具有更低导通电阻和更低栅极电荷，可有效地最大限度地降低导通和驱动损耗。此外，这些MOSFET还为体二极管反向恢复提供出色的软控制，有效降低电压尖峰压力而无需在应用中使用额外的缓冲电路。

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