NTMFS6D2N08XT1G

Name: onsemi NTMFS6D2N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS6D2N08XT1G
Price: 5.42 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

863-NTMFS6D2N08XT1G

制造商编号：

NTMFS6D2N08XT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

寿命周期:

新产品:

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数据表:

NTMFS6D2N08XT1G 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	73 A
Rds On-漏源导通电阻:	6.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.6 V
Qg-栅极电荷:	19 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	68 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MY
下降时间:	24 ns
正向跨导 - 最小值:	48 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	19 ns
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	15 ns
典型接通延迟时间:	10 ns

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数据表

NTMFS6D2N08XT1G 数据表

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

T10低/中压MOSFET

安森美 (onsemi) T10低/中压MOSFET为40V/80V单通道N沟道功率MOSFET，具备性能提升、系统效率增强及高功率密度等特性。此系列功率MOSFET具有低R_DS(on) 和低电容特性，可将导通损耗和驱动损耗降至最低。T10低/中压MOSFET提供低Q_RR和软恢复体二极管。此系列MOSFET符合RoHS标准，不含铅、卤/溴化阻燃剂。典型应用包括DC-DC与AC-DC转换器中的同步整流（SR）、隔离式DC-DC转换器中的初级侧开关、电池保护和电机驱动器。