NTMYS006N08LHTWG

onsemi
863-NTMYS006N08LHTWG
NTMYS006N08LHTWG

制造商：

说明：
MOSFET T8 80V LL LFPAK

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
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库存量: 1,454

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥26.7132 ¥26.71
¥25.9674 ¥259.67
¥19.1083 ¥1,910.83
¥16.046 ¥8,023.00
¥13.7295 ¥13,729.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥9.266 ¥27,798.00

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
80 V
77 A
7.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
89 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: SIngle
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 99 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 125 ns
系列: NTMYS006N08HL
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

单N沟道功率MOSFET

安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计，占位面积小。这些功率MOSFET具有低RDS(ON) 、低QG 和低电容，最大限度地降低了导通损耗和驱动器损耗。这些MOSFET具有40V、60V和80V漏-源电压和±20V栅-源电压。安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET无铅，符合RoHS指令。

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