NTMYS025N06CLTWG

Name: onsemi NTMYS025N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMYS025N06CLTWG
Price: 13.03 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMYS025N06CLTWG

制造商编号：

NTMYS025N06CLTWG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel

数据表:

NTMYS025N06CLTWG 数据表

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥14.7239	¥14.72
	¥9.4242	¥94.24
	¥6.2941	¥629.41
	¥4.9833	¥2,491.65
	¥4.5539	¥4,553.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥4.2488	¥12,746.40

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	LFPAK-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	21 A
Rds On-漏源导通电阻:	27.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	2.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	24 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
下降时间:	2.5 ns
正向跨导 - 最小值:	20 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	12.5 ns
系列:	NTMYS025N06CL
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	14 ns
典型接通延迟时间:	5 ns
单位重量:	75 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

NTMYS025N06CLTWG 数据表

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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