NTTFS4D9N04XMTAG

Name: onsemi NTTFS4D9N04XMTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS4D9N04XMTAG
Price: 7.39 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTTFS4D9N04XMTAG

制造商编号：

NTTFS4D9N04XMTAG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NTTFS4D9N04XMTAG 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi NTTFS4D9N04XMTAG详情

库存量: 715

库存：: 715 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 43 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥8.3507	¥8.35
	¥5.2319	¥52.32
	¥3.4126	¥341.26
	¥2.6442	¥1,322.10
	¥2.4295	¥2,429.50
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥2.2487	¥3,373.05
	¥1.9323	¥5,796.90

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WDFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	65 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	10.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	38 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	JP
下降时间:	3.8 ns
正向跨导 - 最小值:	45 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4 ns
系列:	NTTFS4D9N04XM
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	16.3 ns
典型接通延迟时间:	12 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NTTFS4D9N04XMTAG 数据表

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

单N沟道功率MOSFET

安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计，占位面积小。这些功率MOSFET具有低R_DS(ON) 、低Q_G 和低电容，最大限度地降低了导通损耗和驱动器损耗。这些MOSFET具有40V、60V和80V漏-源电压和±20V栅-源电压。安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET无铅，符合RoHS指令。