NTTFS5D6N08XLTAG

Name: onsemi NTTFS5D6N08XLTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS5D6N08XLTAG
Price: 6.81 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTTFS5D6N08XLTAG

制造商编号：

NTTFS5D6N08XLTAG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥7.6953	¥7.70
	¥4.9833	¥49.83
	¥4.1019	¥410.19
	¥3.7855	¥3,785.50
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥3.6612	¥5,491.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WSFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	79 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.1 V
Qg-栅极电荷:	14 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	82 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MY
下降时间:	3 ns
正向跨导 - 最小值:	113 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3 ns
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	24 ns
典型接通延迟时间:	10 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NTTFS5D6N08XLTAG 数据表

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

T10低/中压MOSFET

安森美 (onsemi) T10低/中压MOSFET为40V/80V单通道N沟道功率MOSFET，具备性能提升、系统效率增强及高功率密度等特性。此系列功率MOSFET具有低R_DS(on) 和低电容特性，可将导通损耗和驱动损耗降至最低。T10低/中压MOSFET提供低Q_RR和软恢复体二极管。此系列MOSFET符合RoHS标准，不含铅、卤/溴化阻燃剂。典型应用包括DC-DC与AC-DC转换器中的同步整流（SR）、隔离式DC-DC转换器中的初级侧开关、电池保护和电机驱动器。