NTTFSSH1D3N04XL

onsemi
863-NTTFSSH1D3N04XL
NTTFSSH1D3N04XL

制造商：

说明：
MOSFET T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
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库存量: 2,664

库存：
2,664
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在途量:
3,000
生产周期：
27
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥22.7469 ¥22.75
¥14.7239 ¥147.24
¥10.17 ¥1,017.00
¥8.2264 ¥4,113.20
¥8.0456 ¥8,045.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥7.684 ¥23,052.00

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN-9
N-Channel
1 Channel
40 V
207 A
1.3 mOhms
20 V
2.2 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 123 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: NTTFSSH1D3N04XL
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

单N沟道功率MOSFET

安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计，占位面积小。这些功率MOSFET具有低RDS(ON) 、低QG 和低电容，最大限度地降低了导通损耗和驱动器损耗。这些MOSFET具有40V、60V和80V漏-源电压和±20V栅-源电压。安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET无铅，符合RoHS指令。

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