NVD5C434NT4G

onsemi
863-NVD5C434NT4G
NVD5C434NT4G

制造商：

说明：
MOSFET T6 40V SL IN DPAK

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 2,251

库存：
2,251 可立即发货
生产周期：
45 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥31.2671 ¥31.27
¥21.3457 ¥213.46
¥17.2099 ¥1,720.99
¥16.046 ¥8,023.00
¥15.0516 ¥15,051.60
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥15.0516 ¥37,629.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
163 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
80.6 nC
- 55 C
+ 175 C
117 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: VN
下降时间: 14 ns
正向跨导 - 最小值: 155 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 78 ns
系列: NVD5C434N
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 330 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVD5C功率MOSFET

安森美半导体NVD5C功率MOSFET符合AEC−Q101标准，可为汽车应用提供强大的解决方案。NVD5C功率MOSFET具有低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低QG和电容，可将驱动器损耗降到最低。这些单N通道MOSFET采用紧凑型表面贴装DPAK封装，无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。
了解详情

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

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