NVH4L022N120M3S

onsemi
863-NVH4L022N120M3S
NVH4L022N120M3S

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

数据表:
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库存量: 267

库存：
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最少： 1   倍数： 1
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¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥262.8719 ¥262.87
¥202.9028 ¥2,029.03
¥202.8237 ¥24,338.84
510 报价

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
68 A
30 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
151 nC
- 55 C
+ 175 C
352 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 34 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 24 ns
系列: NVH4L022N120M3S
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 48 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M3S EliteSiC MOSFET

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M3S 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美半导体M3S 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET优化用于快速开关应用。该平面技术可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。安森美半导体M3S 1200V MOSFET由18V栅极驱动驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动配合使用。M3S具有低开关损耗，采用TO247-4LD封装，可实现低公共源电感。

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