NVMFS5C420NLT1G

onsemi
863-NVMFS5C420NLT1G
NVMFS5C420NLT1G

制造商：

说明：
MOSFET T6 40V LL

数据表:
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库存量: 8,799

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥30.4422 ¥30.44
¥20.7581 ¥207.58
¥16.3737 ¥1,637.37
¥14.8934 ¥7,446.70
¥13.899 ¥13,899.00
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥13.899 ¥20,848.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
40 V
277 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
100 nC
- 55 C
+ 175 C
146 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
产品类型: MOSFETs
系列: NVMFS5C420NL
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
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已选择的属性: 0

数据表

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

汽车用功率MOSFET

安森美 (onsemi) 功率MOSFET具有低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低QG/电容，可最大限度地降低驱动器损耗。这些功率MOSFET可降低开关损耗/电磁干扰 (EMI)。安森美 (onsemi) 汽车用功率MOSFET采用TO无引线 (TOLL) 封装，实现高效设计，具有较高的散热性能。这些MOSFET符合汽车应用类AEC-Q101标准并具有PPAP功能。这些器件适合用于电动工具、电池供电吸尘器、无人航空载具 (UAV)/无人机、材料处理、电池管理系统 (BMS)/存储和家居自动化。

N通道PowerTrench® MOSFET

Fairchild Semiconductor N通道PowerTrench® MOSFET采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench®工艺制成，此种工艺专门设计用以将通态电阻降至最低，同时保持出众的开关性能。Fairchild Semiconductor N通道PowerTrench® MOSFET具有30V-250V各种漏极至源极电压规格。

FDD10N20LZ和FDD7N25LZ均为N通道增强型模式功率场效应晶体管，采用Fairchild的专有平面条状和DMOS技术制成。该先进技术特别设计用于将通态电阻降至最低，提供出众的开关性能，且能承受雪崩和换流模式下的高能脉冲。这些器件非常适用于高效开关模式电源和主动功率因数校正。

FDMC6296是一款单N通道MOSFET，采用高热效率MicroFET封装。其经过特别设计以确保负载点转换器中的出色表现。通过提供rDS(on)和栅极电荷之间的最佳平衡，此器件可有效用作一个“高侧”控制开关或“低侧”同步整流器。
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