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安森美半导体NVMFS6H8x功率MOSFET是80V、单N通道的小型器件，设计紧凑。这些功率MOSFET具有2.1mΩ、2.8mΩ和3.7mΩ电阻。这些器件的特性包括可最大限度降低导通损耗的低RDS(on)、低QG以及低电容。NVMFS6H8x功率MOSFET符合RoHS指令和AEC-Q101标准。这些功率MOSFET在-55°C至175°的温度范围内工作。
onsemi Trench8 MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 Qg x RDS(ON)，后者是功率转换应用MOSFET的关键品质因数 (FOM)。Trench8 MOSFET具有基于T6技术的优化开关性能，与Trench6系列相比，Qg 和Qoss 分别降低了35%至40%。Onsemi Trench8 MOSFET采用多种封装类型，设计灵活。符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能，适合用于汽车应用。其中许多器件采用侧面可润湿封装，可进行自动光学检测（AOI）。
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