NVMFWS0D63N04XMT1G

onsemi
863-MFWS0D63N04XMT1G
NVMFWS0D63N04XMT1G

制造商：

说明：
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
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库存量: 1,581

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥30.3518 ¥30.35
¥19.9332 ¥199.33
¥13.9781 ¥1,397.81
¥12.2379 ¥6,118.95
¥11.413 ¥11,413.00
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥11.413 ¥17,119.50

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
40 V
384 A
600 uOhms
20 V
3.5 V
92.2 nC
- 55 C
+ 175 C
157 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
组装国: MY
扩散国家: JP
原产国: MY
下降时间: 7.3 ns
正向跨导 - 最小值: 174 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9 ns
系列: NVMFWS0D63N04XM
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

单N沟道功率MOSFET

安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计，占位面积小。这些功率MOSFET具有低RDS(ON) 、低QG 和低电容，最大限度地降低了导通损耗和驱动器损耗。这些MOSFET具有40V、60V和80V漏-源电压和±20V栅-源电压。安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET无铅，符合RoHS指令。

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