NVMFWS1D3N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS1D3N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS1D3N04XMT1G
Price: 16.76 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-VMFWS1D3N04XMT1G

制造商编号：

NVMFWS1D3N04XMT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

寿命周期:

新产品:

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数据表:

NVMFWS1D3N04XMT1G 数据表

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	¥18.9388	¥18.94
	¥12.1588	¥121.59
	¥8.3507	¥835.07
	¥6.6218	¥3,310.90
	¥5.989	¥5,989.00
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥5.989	¥8,983.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFNW-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	195 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	38.6 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	90 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MY
下降时间:	5.2 ns
正向跨导 - 最小值:	105 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6.2 ns
系列:	NVMFWS1D3N04XM
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	30.4 ns
典型接通延迟时间:	19.1 ns

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数据表

NVMFWS1D3N04XMT1G 数据表

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

单N沟道功率MOSFET

安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计，占位面积小。这些功率MOSFET具有低R_DS(ON) 、低Q_G 和低电容，最大限度地降低了导通损耗和驱动器损耗。这些MOSFET具有40V、60V和80V漏-源电压和±20V栅-源电压。安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET无铅，符合RoHS指令。