NVMFWS2D9N04XMT1G

onsemi
863-VMFWS2D9N04XMT1G
NVMFWS2D9N04XMT1G

制造商:

说明:
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
ECAD模型:
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库存量: 10,036

库存:
10,036 可立即发货
生产周期:
50 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按1500的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥14.2267 ¥14.23
¥9.0174 ¥90.17
¥6.0342 ¥603.42
¥4.7686 ¥2,384.30
¥4.4296 ¥4,429.60
整卷卷轴(请按1500的倍数订购)
¥4.068 ¥6,102.00
¥4.0228 ¥36,205.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
40 V
94 A
3.1 mOhms
20 V
3.5 V
15.7 nC
- 55 C
+ 175 C
50 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
组装国: MY
扩散国家: JP
原产国: MY
下降时间: 3.8 ns
正向跨导 - 最小值: 79.6 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 4.5 ns
系列: NVMFWS2D9N04XM
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 19.8 ns
典型接通延迟时间: 13.1 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

单N沟道功率MOSFET

安森美(onsemi)单N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计,占位面积小。这些功率MOSFET具有低RDS(ON) 、低QG 和低电容,最大限度地降低了导通损耗和驱动器损耗。这些MOSFET具有40V、60V和80V漏-源电压和±20V栅-源电压。安森美(onsemi)单N沟道功率MOSFET无铅,符合RoHS指令。