NVMTS4D3N15MC

onsemi
863-NVMTS4D3N15MC
NVMTS4D3N15MC

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 3,878

库存：
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生产周期：
45 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥62.3647 ¥62.36
¥42.601 ¥426.01
¥32.5101 ¥3,251.01
¥32.4197 ¥16,209.85
¥30.3518 ¥30,351.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥30.3518 ¥91,055.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
165 A
4.45 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
79 nC
- 55 C
+ 175 C
292 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
产品类型: MOSFETs
系列: NVMTS4D3N15MC
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

单N沟道功率MOSFET

安森美半导体单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET，具有低RDS(on) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗，低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，工作温度范围为- 55°C至175°。

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