NVMYS011N04CTWG

Name: onsemi NVMYS011N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS011N04CTWG
Price: 10.03 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVMYS011N04CTWG

制造商编号：

NVMYS011N04CTWG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

数据表:

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	¥7.119	¥71.19
	¥4.7234	¥472.34
	¥3.6838	¥1,841.90
	¥3.3448	¥3,344.80
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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	LFPAK-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	35 A
Rds On-漏源导通电阻:	12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	7.9 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	28 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
下降时间:	5 ns
正向跨导 - 最小值:	111 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	16 ns
系列:	NVMYS011N04C
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	16 ns
典型接通延迟时间:	8 ns
单位重量:	75 mg

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数据表

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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