NVMYS8D0N04CTWG

Name: onsemi NVMYS8D0N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS8D0N04CTWG
Price: 10.91 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVMYS8D0N04CTWG

制造商编号：

NVMYS8D0N04CTWG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

数据表:

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	¥7.7631	¥77.63
	¥5.1754	¥517.54
	¥4.0567	¥2,028.35
	¥3.6951	¥3,695.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥3.4239	¥10,271.70

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	LFPAK-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	49 A
Rds On-漏源导通电阻:	8.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	10 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	38 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
下降时间:	6 ns
正向跨导 - 最小值:	29 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	24 ns
系列:	NVMYS8D0N04C
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	19 ns
典型接通延迟时间:	9.5 ns
单位重量:	75 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

LFPAK4汽车用功率MOSFET

安森美半导体LFPAK4汽车用功率MOSFET是符合AEC-Q101标准的单N通道MOSFET，占位面积小 (5mm x 6mm)，非常适合用于紧凑型设计。这些器件具有低漏极-源极导通电阻，可最大限度地降低导通损耗，并具有低栅极电荷和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。这些汽车级功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，具有较宽的工作温度范围（-55°C至+175°）。